IGBT(5950)

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）は、大電流を扱うことができ、高速スイッチング機能を持つ3端子の多層半導体デバイスである。タイプ、コレクタ・エミッタ降伏電圧、コレクタ電流、パルスコレクタ電流、VCE(ON)、スイッチングエネルギー、ゲート電荷によって特徴付けられる。